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【消息人士：三星电子加快研发第七代1d DRAM量产设备，消息星电计划明年推出】
⑴ 三星电子正与多个合作伙伴协作，人士加速开发用于第七代10纳米级（1d）DRAM的加快量产设备。业内人士透露，第代尽管时间表可能会有所调整，产设出量产设备预计将在明年第二季度或第三季度投入使用。备计
⑵ 鉴于实际量产准备所需的划明时间，预计三星电子最早到明年年底才能实现1d DRAM的年推初步量产。该技术的消息星电电路线宽在10至11纳米之间。目前最新的人士商用产品为第六代1c DRAM，其线宽为11至12纳米。加快线宽越小，第代DRAM的产设出性能和能效越高。
⑶ 消息人士还表示，备计三星电子的划明1d DRAM预计将用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，计划于2029年实现商业化。
